中性水基型半导体封装制程后清洗剂

一、产品特点：

本中性水基型半导体封装制程后清洗剂由福化微（厦门）电子材料有限公司和国内著名高校电子专用化学品科研团队共同开发，符合中华人民共和国《清洗剂挥发性有机化合物含量限值》（GB 38508-2020）标准，符合欧盟的RoHS标准。安全、高效、环保。

表面洁净在半导体等电子产品生产中具有特殊重要的意义。结点处外来物质的存在可能造成局部高电压，由于齐纳隧道效应引发电流，从而导致产生高反向电流。半导体表面有痕迹量离子、电解质或金属杂质的存在都会使装置的电学性能产生诸如滞后、颤振和高漏泄电流等严重问题；有源装置表面上的流动性离子将会影响装置的最终可靠性，在高操作温度下尤为如此。本清洗剂组合物能有效清洗掉半导体封装制程中产生的残留物及各种有机物、氧化物和尘埃等污染物，且对引线框架、导体器件焊后敏感材料的兼容性好，不损伤不腐蚀，低泡高效，清洗效果好，渗透性强，对微粒分散性好，能有效防止二次污染，通过清洗能够有效稳定半导体表面装置。

本清洗剂由非离子型氟表面活性剂、吡咯烷酮类溶剂、醇醚类溶剂、羟基有机酸助剂、阻蚀剂、抗污垢再沉积剂和去离子水等环保原料组成。非离子型氟表面活性剂，能以极低的浓度显著地降低清洗剂的表面张力，具有一般碳氢表面活性剂所不具备优良性能，如高表面活性、高耐热和化学稳定性，低泡高效，在水基的清洗剂产品中提供极低的表面张力，从而实现更好的润湿，渗透、平整和其他有益特性。吡咯烷酮类溶剂是选择性强和稳定性好的极性溶剂，半导体的优良清洗剂，和醇醚类溶剂协同作用，可应用于集成电路、硬盘等要求严格控制金属离子和微粒等行业的脱油、脱脂、防锈、抛光清洗；羟基有机酸助剂能够有效清除半导体表面附着的有机物、无机盐、金属杂质及碱性物质等各类污染物；阻蚀剂可以在金属表面上形成一层致密而牢固的保护膜，使半导体元件得到良好的保护。抗污垢再沉积剂能有效防止清洗脱落的污染物二次附着于半导体表面而造成的污染。本清洗剂可以用去离子水稀释后使用，清洗效果好，清洗后表面洁净，产品性能稳定。同时本清洗剂pH值接近中性，适应不同的工艺参数，清洗制程时间得到有效缩短，提高了生产效率，清洗液所选材料大都是环保或易降解的、对环境友好。

二、产品组成

非离子型氟表面活性剂、吡咯烷酮类溶剂、醇醚类溶剂、羟基有机酸助剂、阻蚀剂、抗污垢再沉积剂、去离子水。

三、产品功能说明及各组分作用机理说明

本清洗剂由非离子型氟表面活性剂、吡咯烷酮类溶剂、醇醚类溶剂、羟基有机酸助剂、阻蚀剂、抗污垢再沉积剂和去离子水等环保原料组成。非离子型氟表面活性剂，能以极低的浓度显著地降低清洗剂的表面张力，具有一般碳氢表面活性剂所不具备优良性能，如高表面活性、高耐热和化学稳定性，低泡高效，在水基的清洗剂产品中提供极低的表面张力，从而实现更好的润湿，渗透、平整和其他有益特性。吡咯烷酮类溶剂是选择性强和稳定性好的极性溶剂，半导体的优良清洗剂，和醇醚类溶剂协同作用，可应用于集成电路、硬盘等要求严格控制金属离子和微粒等行业的脱油、脱脂、防锈、抛光清洗；羟基有机酸助剂能够有效清除半导体表面附着的有机物、无机盐、金属杂质及碱性物质等各类污染物；阻蚀剂可以在金属表面上形成一层致密而牢固的保护膜，使半导体元件得到良好的保护。抗污垢再沉积剂能有效防止清洗脱落的污染物二次附着于半导体表面而造成的污染。本清洗剂可以用去离子水稀释后使用，清洗效果好，清洗后表面洁净，产品性能稳定。同时本清洗剂pH值接近中性，适应不同的工艺参数，清洗制程时间得到有效缩短，提高了生产效率，清洗液所选材料大都是环保或易降解的、对环境友好。

非离子型氟表面活性剂，能以极低的浓度显著地降低清洗剂的表面张力，具有一般碳氢表面活性剂所不具备优良性能，如高表面活性、高耐热和化学稳定性，低泡高效，在水基清洗剂产品中提供极低的表面张力，从而实现更好的润湿、渗透、平整和其他有益特性。该氟表面活性剂不含VOC，不含APEO，即使在非常低的浓度下，依然提供巨大的湿润能力，并且在酸性、碱性、盐水和硬水环境中稳定，易于形成各种系统。应用在浓缩清洗剂中，可以大幅度降低表面张力，提供卓越的湿润和渗透性能以实现清洁。

本清洗剂采用超高纯度的电子级吡咯烷酮类溶剂，沸点高，电导率极低，水溶性好，是优良的高级溶剂，是选择性强和稳定性好的极性溶剂，高精密电子的优良清洗剂，可应用于集成电路、硬盘等要求严格控制金属离子和微粒等行业的脱油、脱脂、防锈、抛光清洗，该吡咯烷酮类溶剂具有无毒性、溶解力强、不易燃、可生物降解、可回收利用、使用安全和适用于多种配方用途等优点。

本清洗剂所采用的醇醚类溶剂可以和水以任何比例混溶，沸点高，挥发速度极低，运动粘度小，在表面活性剂的润湿渗透下，可以把封装后半导体上的的有机污染物溶解清洗掉，特别是通过和NMP的复配协同作用，清洗效果更好。

羟基有机酸助剂可以除去半导体元件上的碱性污染物以及金属氧化物和无机盐污垢，将金属杂质形成可溶性的有机盐而去除。 同时羟基有机酸含有亲水的羟基，具有更优异的水溶性，在后续水洗阶段清洗液不残留。

阻蚀剂可以在半导体元件金属表面上产生一种化学吸附作用进而发生螯合作用从而形成一层致密而牢固的保护膜，使半导体元件得到良好的保护，有效防止清洗过程中清洗剂对半导体元件的腐蚀。

抗污垢再沉积剂，是一种高沸点的水溶性高分子，可在水中形成带负电荷的胶体，当其分别吸附在物体表面和污垢上时,可加大物体表面和污垢之间的静电斥力，这些胶体与污垢的结合力强，能把污垢吸附后并分散在水中，防止污垢再沉积形成二次污染，增强清洗剂的洗净能力。

去离子水在电子工业特别是半导体生产中的重要作用日益突出，去离子水质已成为影响半导体、电子元器件产品质量、生产成品率及生产成本的重要因素之一。本清洗剂使用的是超纯的半导体级去离子水，符合美国ASTM标准、符合《中国电子行业超纯水国家标准》GB/T1146.1-1997标准。先经过活性炭滤筒去除溶解性有机污染物和残余氯，再经过反渗透（RO）和电去离子化联合处理，然后再经过去离子滤筒去除溶解的无机污染物，电阻系数达到18MΩ.c，达到国家EW-1标准。

四、产品特性

本清洗剂产品符合欧盟RoHS,美国ASTM及中国国家标准，安全高效。

表面张力低，粘度低，润湿渗透能力强，完全水溶性，易漂洗。

工艺操作简单，方便批量化进行清洗，清洗效果好。

清洗过程可以在超声清洗机内实现，操作简单、工艺稳定，清洗效率高，在超声清洗温度范围内热稳定和化学稳定性高，清洗后晶圆良率高且稳定。

配方产品无毒，沸点高，味道小，对环境友好，易于处理。

清洗剂以浓缩液提供，可以依需要用去离子水稀释为10-15%的浓度使用，性价比高。

五、技术指标

六、使用方法说明

清洗工艺及步骤：

1、用去离子水将清洗剂稀释到10%-15%浓度，而后将待洗的半导体元件浸泡在HQDR中，加热清洗剂到60℃,设置超声频率为40KHz,超声清洗5-10 min.。

2、将半导体元件取出后以去离子水漂洗2次，每次洗3 min.，去离子水流速为1.5L/min.。

3、在烘干机（80°C)烘干，脱水干燥后卸片,以AOI全自动晶粒镜检机进行晶圆表面颗粒检测，表面光洁，无微粒、助焊剂、锡焊膏等残留。

七、安全防护

根据良好的工业卫生和安全规范进行操作，休息前和工作结束时洗手。避免与皮肤接触，严禁吞食。详细防护指南请根据本产品MSDS（《安全数据说明书》）

八、包装、存储、保质期、运输

包装为20公斤/塑料桶

本品应贮存于阴凉、干燥处，避免阳光直射，在密封容器里贮存期约为一年.

本品按普通化工产品运输，无特殊要求。